未来のストレージとしての MRAM と磁気

磁気ランダム アクセス メモリ (MRAM) は、他のタイプのデータ ストレージよりも効率的かつ堅牢であり、RAM と比較して、継続的に電力が供給されていない場合でもデータを維持できます。ただし、ビットを変更するには、グローバル ソリューションで実用レベルで使用するには大量の電気エネルギーが必要です。オランダのアイントホーフェン工科大学の研究者チームは、この側面を解決する方法を分析した後、問題を解決する方法を開発しました。

すべての素粒子が固定の固有角運動量を持つという特性である電子スピンを利用することにより、MRAM はデータをインテリジェントに保存します。電力供給が停止された後にデータが削除されないようにするにはどうすればよいですか?前述したように、電気を使用する従来の RAM と比較して、 MRAM は磁気を使用するため、これは簡単です。このようにして、状態イメージを作成しなくても、コンピューター上のすべてを元の状態に正確に復元できます。

データを効果的に保存するには、磁性材料内で電子スピンが正しい側に反転する必要があります。ビットはさまざまな方向に投影されます。たとえば、上には 1、下には 0 が表示されます。通常、必要なスピン方向を持つ電子を含む電流がビットに送られます。問題は、これまでこれを行うには多大なエネルギーが必要だったため、無視されてきたということです。

新しいシステムでは、磁気ビットがより速く回転し、エネルギー効率が大幅に向上します。電流パルスがビットの下に送られ、適切なスピンを持つ電子がビットを通して上方に傾きます。反強磁性材料をビットに適用することで、コストの高騰を防ぐことに加えて、旋削プロセスの信頼性を高めることに成功しました。