最新のモバイル メモリ規格は効率と速度が進化しています

UFS 3.0 メモリ規格の公式仕様の公開から 2 年が経過し、JEDEC は現在、技術的機能にいくつかの改善を加えた最初のアップデートを公開しています。 UFS 3.1 は、最新の標準の実装が完了する一方で、目指すべき新たな地平線として登場します。

以前の eMMC 標準よりもはるかに高速なユニバーサル フラッシュ ストレージ メモリは、2015 年に UFS 2.0 標準が世に出て以来使用されています。この分野の 300 社を超える企業で構成されるソリッド ステート技術仕様団体は、新しい UFS 3.1 標準の改良点を発表しました。これには、パフォーマンスを向上させるための新しいオプションのアドオンが付属しています。

OnePlus 7 の隠し鍵: 専用の UFS 3.0 メモリ

UFS 3.1 メモリ、パフォーマンスと効率の向上

主要な UFS 3.1 標準には、書き込みブースターと呼ばれる新しい不揮発性 SLC タイプのキャッシュ メモリ (セルごとに 1 レベル、またはビット) が含まれており、書き込み速度を「増幅」します。新しい低消費状態も追加されており、これはDeep Sleepと呼ばれていますが、これは低コストのデバイスを対象としています。

最後に、スロットルインジケーターが展開先のデバイスに追加されます。このようにして、スマートフォンはメモリチップの温度がしきい値を超え、最大パフォーマンスでの動作が妨げられることを知ることができます。これは、端末がいつこの状態に入るかを制御または推定できるようにするのに役立ちます。

標準の拡張に関しては、システムの RAM に物理アドレスを保存するオプションを備えた HPB またはホスト パフォーマンス ブースター拡張が定義されています。メイン メモリに重点を置いたこのシステムは、JEDEC によると、デバイスの読み取りパフォーマンスに影響を与える高速キャッシュを提供します。特に、デバイスのメモリが大きくなるほど。

このアップデートは、すでに確立されているメモリ標準に対する比較的小さな改善であり、コア仕様は同じままであるため、具体的なパフォーマンス数値は提供されません。いずれにしても、 XDA-Developersによると、 2020 年中に発表される主要なデバイスでこの規格が街頭で採用されることを期待しています。

これらはより堅牢になり、より安定した方法で高速を実現し、必要なデバイスで効率的になります。最初の候補の1つはOnePlus 8またはGalaxy Note 20でしょう。

JEDECメモリ委員会の委員長であるMian Quddus氏は、「UFS 3.1とUFS HPBで導入された新機能により、製品設計者は消費電力の管理とデバイスのパフォーマンス向上においてより大きな柔軟性を得ることができるでしょう。」と述べています。

UFS 3.0は、Galaxy Fold 、OnePlus 7および7 Pro、Galaxy Note 10で初めて使用されました。そのパフォーマンスは、以前のテクノロジーに準拠した端末の中で際立っており、アプリケーションの起動とインストールの両方が大幅に高速化されました。世界有数の半導体メーカーの一つであるサムスンは、再びこれらのチップを市場に投入する最初のメーカーの一つとなる可能性がある。

Galaxy Note 10のUFSメモリは予想よりもさらに優れているでしょう